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MMST3904

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES Powerdissipation.(PC=0.2W)APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

MMST3904

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentBASE ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司

MMST3904

NPNSmallSignalTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMST3904

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMST3904

NPNGeneralPurposeTransistor

Features 1)BVCEO>40V(IC=1mA) 2)ComplementstheUMT3906/SST3906/MMST3906 /2N3906.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

MMST3904

NPNGeneralPurposeAmplifier

Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●HighConductance ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion

FS

First Silicon Co., Ltd

MMST3904-TP

NPNSmallSignalTransistors

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeavailable(MMST3906) ?Ultra-smallsurfacemountpackage ?Marking:K2N ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?Moisu

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMT3904

GENERALPURPOSETRANSISTORS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MPQ3904

QUADTRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMPQ2222andMPQ2222AtypesarecomprisedoffourindependentNPNsilicontransistorsmountedina14-pinDIP,designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

MPS3904

NPNswitchingtransistor

DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplement:MPS3906. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MMDT3904V-TP

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 40V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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