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MMBTH10L數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

MMBTH10L

參數(shù)屬性

MMBTH10L 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

NPN Bipolar Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 22:58:00

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MMBTH10L規(guī)格書詳情

描述 Description

This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT-23 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications.

特性 Features

? Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
? Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
? Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish
? NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

簡介

MMBTH10L屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由制造生產(chǎn)的MMBTH10L晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :MMBTH10L

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.5

  • IC Cont. (A)

    :-

  • VCEO Min (V)

    :25

  • VCBO (V)

    :30

  • VEBO (V)

    :3

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :0.95

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :240

  • fT Min (MHz)

    :650

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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