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MMBTH10-6AF數(shù)據(jù)手冊FOSAN中文資料規(guī)格書

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廠商型號

MMBTH10-6AF

功能描述

SOT-23 NPN High Frequency Transistor

制造商

FOSAN ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD

中文名稱

富信半導(dǎo)體 安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 23:01:00

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MMBTH10-6AF規(guī)格書詳情

描述 Description

晶體管類型: NPN
集電極電流(Ic): 50mA
集射極擊穿電壓 25V
耗散功率(Pd): 225mW

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :MMBTH10-6AF

  • 生產(chǎn)廠家

    :FOSAN

  • 集電極電流(Ic)

    :50mA

  • 集射極擊穿電壓(Vceo)

    :25V

  • 耗散功率(Pd)

    :225mW

  • 集射極飽和電壓(VCE(sat))

    :500mV

  • 直流電流增益(hFE)

    :>60mA

  • 特征頻率(fT)

    :650MHz

  • 工作溫度

    :-55℃~+150℃

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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