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MMDT5551

SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors

Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

MMDT5551DW

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

MMDT5551-TP

Plastic-EncapsulateTransistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Capableof200mWattsofPowerDissipation ?Idealf

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMST5551

NPNGeneralPurposeTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5401). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMST5551

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

MMST5551

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMST5401 ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Quali

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

MMST5551

NPNSmallSignalTransistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Powerdissipation:200mW(Tamb=25°C) ?Collectorcurrent:0.2A ?Marking:K4N ?OperatingandStoragejunctiontemperaturerange -55°Cto+150°C ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSComplia

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMST5551

SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)

RECTRON

Rectron Semiconductor

MMST5551

NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST5401) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

MMST5551

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES ●ComplementarytoMMST5401 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導(dǎo)體深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT5551-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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