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MMBT5551-TP

PNP Plastic Encapsulate Transistor

Features ????????Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?CollectorCurrent:ICM=0.6A ?Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ?OperatingAndStorageTemperatures–55OCto150OC ?Capableof0.3WattsofPowerDissipation ?Marking:G1 ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(P

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMBT5551-TP

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMBT5551W

Plastic-EncapsulateTransistor

FEATURE ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?AlsoAvailableinLeadFreeVersion ?ComplementarytoMMBT5401W

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

MMBT5551W

SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highvoltage,complementarypairwithMMBT5401W. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

MMBT5551W

MMBT5551WTRANSISTOR(NPN)

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

MMBT5551W

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURE IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching AlsoAvailableinLeadFreeVersion ComplementarytoMMBT5401W

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

MMDT5551

NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors

Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(TPMMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

MMDT5551

DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3) ?GreenDevice(Note4and5)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

MMDT5551

DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

MMDT5551

DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3) ?GreenDevice(Note4and5)

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT5551-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMBT5551-TP供應(yīng)商 更新時間2025-7-23 17:20:00

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