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MMDT3906	文件：1.50347 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3906DW	文件：353.55 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ·Epitaxialplanardieconstruction ·Idealforlowpoweramplificationandswitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
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MMDT3906V-TP	文件：119.47 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpitaxialDieConstruction ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?Marking:KA	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC

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