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MMDT3906V-TP

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpitaxialDieConstruction ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?Marking:KA

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

MMPQ3906

SURFACEMOUNTPNPSILICONQUADTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ3906,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

MMPQ3906

PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier

PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10μAto100mA.SourcedfromProcess66.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMPQ3906

QuadAmplifier/SwitchTransistorPNPSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMST3906

PNPGeneralPurposeTransistor

Features 1)BVCEO>?40V(IC=?1mA) 2)ComplementstheUMT3904/SST3904/MMST3909/2N3904.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

MMST3906

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST3904) Ultra-SmallSurfaceMountPackage

TRSYS

Transys Electronics

MMST3906

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?BVCEO>-40V ?IC=-200mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMST3904 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifi

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

MMST3906

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Powerdissipation. ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementarytoMMST3904. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplicationandswitchingapplication.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

MMST3906

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

MMST3906

150mALOADSWITCHFEATURINGCOMPLEMENTARYBIPOLARTRANSISTORS

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MMDT3906V-TP

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 40V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Micro
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更多MMDT3906V-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-19 10:20:00

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