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MMBT2907A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT2907A
廠商型號

MMBT2907A
參數(shù)屬性

MMBT2907A 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3
功能描述

General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

267 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商

CYSTEKEC
中文名稱

全宇昕科技
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-8-13 19:00:00
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MMBT2907A規(guī)格書詳情

描述 Description

? The MMBT2907A is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification.

? Large IC , IC(Max)= -0.6A

? Low VCE(sat), ideal for low-voltage operation.

? Complementary to MMBT2222A.

? Pb-free package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT2907A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.6V @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 150mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    200MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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