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MMBT2907分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT2907
廠商型號(hào)

MMBT2907

參數(shù)屬性

MMBT2907 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3

功能描述

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

130.09 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

SEMTECH_ELEC

中文名稱

先之科半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-7 14:30:00

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MMBT2907規(guī)格書詳情

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and AF amplifier applications.

The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor MMBT2222 and MMBT2222A are recommended.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBT2907

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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