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MJW18020分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJW18020
廠商型號

MJW18020

參數(shù)屬性

MJW18020 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 450V 30A TO247-3

功能描述

NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar
TRANS NPN 450V 30A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

55.59 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-10 14:18:00

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MJW18020規(guī)格書詳情

MJW18020屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJW18020晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar

The MJW18020 planar High Voltage Power Transistor is specifically Designed for motor control applications, high power supplies and UPS’s for which the high reproducibility of DC and Switching parameters minimizes the dead time in bridge configurations.

特性 Features

? High and Excellent Gain Linearity

? Fast and Very Tight Switching Times Parameters tsi and tfi

? Very Stable Leakage Current due to the Planar Structure

? High Reliability

? Pb?Free Package is Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MJW18020G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 4A,20A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    14 @ 3A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    13MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS NPN 450V 30A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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