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MJW16212中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJW16212
廠商型號

MJW16212

功能描述

POWER TRANSISTOR

文件大小

260.89 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:01:00

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MJW16212規(guī)格書詳情

SCANSWITCH?

NPN Bipolar Power Deflection Transistor

For High and Very High Resolution Monitors

The MJW16212 is a state–of–the–art SWITCHMODE? bipolar power transistor. It is specifically designed for use in horizontal deflection circuits for 20 mm diameter neck, high and very high resolution, full page, monochrome monitors.

? 1500 Volt Collector–Emitter Breakdown Capability

? Typical Dynamic Desaturation Specified (New Turn–Off Characteristic)

? Application Specific State–of–the–Art Die Design

? Fast Switching:

200 ns Inductive Fall Time (Typ)

2000 ns Inductive Storage Time (Typ)

? Low Saturation Voltage:

0.15 Volts at 5.5 Amps Collector Current and 2.5 A Base Drive

? Low Collector–Emitter Leakage Current — 250 μA Max at 1500 Volts — VCES

? High Emitter–Base Breakdown Capability For High Voltage Off Drive Circuits —

8.0 Volts (Min)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MJW16212

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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