MJE803分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MJE803 |
參數(shù)屬性 | MJE803 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO126 |
功能描述 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
封裝外殼 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
81.9 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
中文名稱 | 新澤西半導體 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-5 9:36:00 |
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MJE803規(guī)格書詳情
... designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications.
? High DCCurrent Gain —
hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
? Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage
Multiplication
? Choice of Packages —
MJE700 and MJE800 series
T0220AB, MJE700T and MJE800T
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MJE803
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
2.8V @ 40mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 2A,3V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-126
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA/摩托羅拉 |
25+ |
TO-225AATO-126 |
54558 |
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TO-225AATO-126 |
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TO-225AATO-126 |
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