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MJE802分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE802
廠商型號

MJE802

參數(shù)屬性

MJE802 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32

功能描述

Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

51.86 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-2 15:28:00

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MJE802規(guī)格書詳情

Monolithic Construction With Built-in Base Emitter Resistors

???????

? High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC

? Complement to MJE700/701/702/703

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJE802

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-32

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
21+
TO-225
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
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ST/意法
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1651+
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7500
只做原裝進口,假一罰十
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