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MJE182分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJE182
廠商型號(hào)

MJE182

參數(shù)屬性

MJE182 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 3A SOT32-3

功能描述

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

172.52 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-2 10:24:00

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MJE182規(guī)格書詳情

Complementary Plastic Silicon Power Transistors

The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications.

特性 Features

? Collector?Emitter Sustaining Voltage ?

VCEO(sus) = 40 Vdc ? MJE170, MJE180

= 60 Vdc ? MJE171, MJE181

= 80 Vdc ? MJE172, MJE182

? DC Current Gain ?

hFE = 30 (Min) @ IC = 0.5 Adc

= 12 (Min) @ IC = 1.5 Adc

? Current?Gain ? Bandwidth Product ?

fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

? Annular Construction for Low Leakages ?

ICBO = 100 nA (Max) @ Rated VCB

? Epoxy Meets UL 94 V?0 @ 0.125 in

? ESD Ratings: Machine Model, C

Human Body Model, 3B

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJE182

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.7V @ 600mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    50MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 3A SOT32-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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