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MJD2955數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

MJD2955

參數(shù)屬性

MJD2955 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK

功能描述

10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
TRANS PNP 60V 10A DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-6 23:01:00

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MJD2955規(guī)格書詳情

描述 Description

The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD2955 (PNP) and MJD3055 (NPN) are complementary devices.

特性 Features

? Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
? Straight Lead Version in Plastic Sleeves (\"-1\" Suffix)
? Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (\"T4\" Suffix)
? Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055
? DC Current Gain Specified to 10 Amperes
? High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
? NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
? These are PbFree Packages

簡(jiǎn)介

MJD2955屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的MJD2955晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :MJD2955

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.8

  • IC Cont. (A)

    :10

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :70

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.8

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :100

  • fT Min (MHz)

    :2

  • PTM Max (W)

    :20

  • Package Type

    :DPAK-3

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