MJD122數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
MJD122 |
| 參數(shù)屬性 | MJD122 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 |
| 功能描述 | 互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管 |
| 封裝外殼 | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 20:36:00 |
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更多MJD122規(guī)格書詳情
描述 Description
The devices are manufactured in planar technology with \\\"base island\\\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
特性 Features
? Low collector-emitter saturation voltage
? Integrated antiparallel collector-emitter diode
簡介
MJD122屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由制造生產(chǎn)的MJD122晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：MJD122
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：100
- Collector-Base Voltage_max(V)
：100
- Collector Current_abs_max(A)
：5
- Dc Current Gain_min
：1000
- Dc Current Gain_max
：12000
- Test Condition for hFE (IC)
：4
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：4
- VCE(sat)_max(V)
：2
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：4
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：16
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-252 |
23+ |
NA |
15659 |
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詢價 | ||
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25+ |
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24+ |
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TO-252 |
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25+ |
TO-252 |
880000 |
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