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MJD117數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

MJD117

參數(shù)屬性

MJD117 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

功能描述

互補硅功率達林頓晶體管

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-6 23:01:00

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MJD117規(guī)格書詳情

描述 Description

The devices are manufactured in planar technology with \\\"base island\\\" layout and monolithic Darlington configuration.

特性 Features

? Good hFE linearity
? Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
? High fT frequency

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :MJD117

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :PNP

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :100

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :100

  • Collector Current_abs_max(A)

    :5

  • Dc Current Gain_min

    :1000

  • Dc Current Gain_max

    :12000

  • Test Condition for hFE (IC)

    :4

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :4

  • VCE(sat)_max(V)

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :4

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :16

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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