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MII150-12A4分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MII150-12A4
廠商型號

MII150-12A4

參數(shù)屬性

MII150-12A4 封裝/外殼為Y3-DCB;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB

功能描述

IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA
IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB

封裝外殼

Y3-DCB

文件大小

120.31 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 15:17:00

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MII150-12A4規(guī)格書詳情

MII150-12A4屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MII150-12A4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

IGBT Modules

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

特性 Features

● NPT IGBT technology

● low saturation voltage

● low switching losses

● switching frequency up to 30 kHz

● square RBSOA, no latch up

● high short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy parallelling

● MOS input, voltage controlled

● ultra fast free wheeling diodes

● package with DCB ceramic base plate

● isolation voltage 4800 V

● UL registered E72873

Advantages

● space and weight savings

● reduced protection circuits

Typical Applications

● AC and DC motor control

● AC servo and robot drives

● power supplies

● welding inverters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MII150-12A4

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 配置:

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,100A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    Y3-DCB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    Y3-DCB

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 180A 760W Y3DCB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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