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MII100-12A3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MII100-12A3 |
| 參數(shù)屬性 | MII100-12A3 封裝/外殼為Y4-M5；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5 |
| 功能描述 | IGBT Modules |
| 封裝外殼 | Y4-M5 |
| 文件大小 |
118.44 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-13 10:19:00 |
| 人工找貨 | MII100-12A3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MII100-12A3規(guī)格書(shū)詳情
MII100-12A3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MII100-12A3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
IGBT Modules
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
特性 Features
● NPT IGBT technology
● low saturation voltage
● low switching losses
● switching frequency up to 30 kHz
● square RBSOA, no latch up
● high short circuit capability
● positive temperature coefficient for easy parallelling
● MOS input, voltage controlled
● ultra fast free wheeling diodes
● package with DCB ceramic base plate
● isolation voltage 4800 V
● UL registered E72873
Advantages
● space and weight savings
● reduced protection circuits
Typical Applications
● AC and DC motor control
● AC servo and robot drives
● power supplies
● welding inverters
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MII100-12A3
- 制造商：
IXYS
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- IGBT 類(lèi)型：
NPT
- 配置：
半橋
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，75A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無(wú)
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
Y4-M5
- 供應(yīng)商器件封裝：
Y4-M5
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS |
24+ |
MODULE |
1000 |
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IXYS/艾賽斯 |
19+ |
MODULE |
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