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MGSF1P02LT1中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MGSF1P02LT1
廠商型號(hào)

MGSF1P02LT1

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET

文件大小

195.87 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

MOTOROLA

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-2 23:01:00

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MGSF1P02LT1規(guī)格書詳情

Part of the GreenLine? Portfolio of devices with energy–conserving traits.

These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High Cell Density, HDTMOS process. Low rDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc–dc converters and power management in portable and battery–powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

? Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery

Life

? Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MGSF1P02LT1

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

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