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MGSF1N03LT3G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGSF1N03LT3G
廠商型號

MGSF1N03LT3G

功能描述

Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N??hannel, SOT??3

文件大小

74.4 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 23:01:00

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MGSF1N03LT3G規(guī)格書詳情

Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N?Channel, SOT?23

These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc?dc converters and power management in portable and battery?powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

? Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

? Miniature SOT?23 Surface Mount Package Saves Board Space

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGSF1N03LT3G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 2.1A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
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