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MGP15N40CL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MGP15N40CL |
| 參數(shù)屬性 | MGP15N40CL 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 440V 15A 150W TO220AB |
| 功能描述 | Internally Clamped N-Channel IGBT |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
100.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 | ONSEMI |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-1 14:11:00 |
| 人工找貨 | MGP15N40CL價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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MGP15N40CL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MGP15N40CL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Internally Clamped N-Channel IGBT
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
? Gate–Emitter ESD Protection
? Temperature Compensated Gate–Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load
? Integrated ESD Diode Protection
? Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessor Devices
? Low Saturation Voltage
? High Pulsed Current Capability
? Optional Gate Resistor (RG)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MGP15N40CL
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 4V，25A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
-/4μs
- 測試條件：
300V，6.5A，1 千歐
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
IGBT 440V 15A 150W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
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TO-220 |
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