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MGP15N40CL分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

MGP15N40CL
廠商型號

MGP15N40CL

參數(shù)屬性

MGP15N40CL 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 440V 15A 150W TO220AB

功能描述

Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
IGBT 440V 15A 150W TO220AB

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

81.32 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 8:32:00

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MGP15N40CL規(guī)格書詳情

MGP15N40CL屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MGP15N40CL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Internally Clamped N-Channel IGBT

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

? Gate–Emitter ESD Protection

? Temperature Compensated Gate–Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load

? Integrated ESD Diode Protection

? Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessor Devices

? Low Saturation Voltage

? High Pulsed Current Capability

? Optional Gate Resistor (RG)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MGP15N40CL

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 4V,25A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    -/4μs

  • 測試條件:

    300V,6.5A,1 千歐

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    IGBT 440V 15A 150W TO220AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
22+
TO-220
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ON
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