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MGF1801中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MGF1801
廠商型號(hào)

MGF1801

功能描述

MICROWAVE POWER GaAs FET

文件大小

23.06 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MITSUBISHI三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-16 13:30:00

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MGF1801規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.

FEATURES

? High output power at 1dB gain compression

P1dB=23dBm(TYP.) @f=8GHz

? High linear power gain

GLP=9dB(TYP.) @f=8GHz

? High reliability and stability

APPLICATION

S to X band medium-power amplifiers and oscillators.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MGF1801

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    MICROWAVE POWER GaAs FET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MIT
24+
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MITSUBISHI/三菱
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MITSUBISH
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