MGF1601B中文資料三菱電機數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
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High-power GaAs FET (small signal gain stage)
S to X BAND / 0.15W non - matched
DESCRIPTION
The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic lasses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
High linear power gain
Glp=8.0dB @f=8GHz
High P1dB
P1dB=21.8dBm(TYP.) @f=8GHz
APPLICATION
?S to X Band medium-power amplifiers and oscillators
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MGF1601B
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全稱：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
MITSUBIS |
22+ |
GD-10 |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2021+ |
3000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價 | |||
QORVO |
24+ |
SMD |
5000 |
QORVO“芯達集團”專營品牌原裝正品假一罰十 |
詢價 | ||
MIT |
2020+ |
高頻管 |
4500 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
MIT |
01+ |
N/A |
29 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
GD-10 |
60000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
MIT |
24+ |
100 |
詢價 | ||||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
155 |
現(xiàn)貨供應 |
詢價 |
