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MRF1000MB	文件：16.37 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF1000MBisDesignedforClassA,DME/TACANApplicationsupto1090MHz. FEATURES: ?ClassAOperation ?PG=10dBat0.2W/1090MHz ?Omnigold?MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF1000MB	文件：104.81 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTORSNPNSILICON DesignedforClassAandABcommonemitteramplifierapplicationsinthelow–powerstagesofIFF,DME,TACAN,radartransmitters,andCWsystems. ?GuaranteedPerformance@1090MHz,18Vdc—ClassA OutputPower=0.2Watt MinimumGain=10dB ?100TestedforLoadMismatchatAllPha	MACOMTyco Electronics 瑪科姆技術(shù)方案控股有限公司	MACOM
MRF1000MB	文件：170.22 Kbytes Page：4 Pages	ClassA,ClassABMicrowavePowerSiliconNPNTransistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
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MRS-1000A	文件：2.36396 Mbytes Page：4 Pages	CreateYourOwnReworkSystem	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 沖電線沖電線株式會社	OKI
MRS-1000B	文件：2.36396 Mbytes Page：4 Pages	CreateYourOwnReworkSystem	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 沖電線沖電線株式會社	OKI
MS1000	文件：98.41 Kbytes Page：3 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1000isa28VClassAsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.DiffusedemitterballastprovideinfiniteVSWRcapabilityunderratedoperatingconditions. Features ·30MHz ·28VOLTS ·IMD=-30dB ·GOLDMETALLIZATION	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MSA-1000	文件：73.58 Kbytes Page：4 Pages	CascadableSiliconBipolarMMICAmplifier Description TheMSA-1000isahighperformance,mediumpowersiliconbipolarMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)chip.ThisMMICisdesignedforuseinapush-pullconfigurationina25?system.TheMSA-1000canalsobeusedassingle-endedamplifierina50??systemwithslightlyre	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
MSB-1000	文件：330.44 Kbytes Page：1 Pages	VRLARechargeableBattery	BB-BATTERYB. B. Battery Co., Ltd. 美美電池長沙鎂鎂科技有限公司	BB-BATTERY
MSC1000M	文件：100.56 Kbytes Page：5 Pages	AVIONICSAPPLICATIONSRF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheMSC1000MisaClassA,commonemittertransistorwithanemitterballastedMatrixgeometryspecificallydesignedforDME/IFFdriverapplications. Thisdeviceiscapableofwithstandinga∞:1loadVSWRatanyphaseangleunderfullratedconditions.LowRFthermalresistanceands	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS

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