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NTE5811

SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4

Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable

NTE

NTE Electronics

NTE5811

SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4

Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable

NTE

NTE Electronics

NTE5811

SiliconPowerRectifierDiode,12Amp

Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable

NTE

NTE Electronics

NTTFS5811NL

PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTTFS5811NLTAG

PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTTFS5811NLTWG

PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NL

PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint

MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NL

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NLTAG

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NLTAG

PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint

MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MAX5811NEUT-T

  • 功能描述：

    數(shù)模轉(zhuǎn)換器- DAC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 轉(zhuǎn)換器數(shù)量：

    1 DAC

  • 輸出端數(shù)量：

    1

  • 轉(zhuǎn)換速率：

    2 MSPs

  • 分辨率：

    16 bit

  • 接口類型：

    QSPI, SPI, Serial(3-Wire, Microwire)

  • 穩(wěn)定時(shí)間：

    1 us

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOIC-14

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MAXIM
23+
NA
25060
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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Analog Devices Inc./Maxim Inte
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全新、原裝
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原盤,原標(biāo),假一賠三,支持賬期
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原裝正品，支持實(shí)單
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SOT23-6
14280
強(qiáng)勢渠道訂貨 7-10天
 詢價(jià)
更多MAX5811NEUT-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 9:03:00

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