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NVTFS5811NL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

NVTFS5811NL
廠商型號

NVTFS5811NL

參數(shù)屬性

NVTFS5811NL 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

功能描述

Power MOSFET 40 V, 6.7 m, 40 A, Single N??hannel Small Footprint
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

文件大小

118.55 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 20:00:00

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NVTFS5811NL規(guī)格書詳情

NVTFS5811NL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVTFS5811NL晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 6.7 m, 40 A

特性 Features

? Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low Capacitance to Minimize Driver Losses

? NVTFS5811NLWF ? Wettable Flanks Product

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NVTFS5811NLTAG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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