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M13S64164A-6TG中文資料晶豪科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

M13S64164A-6TG
廠商型號

M13S64164A-6TG

功能描述

1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

文件大小

1.5065 Mbytes

頁面數(shù)量

49

生產(chǎn)廠商

ESMT Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

中文名稱

晶豪科技 晶豪科技股份有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-29 14:18:00

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M13S64164A-6TG規(guī)格書詳情

特性 Features

? JEDEC Standard

? Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

? Bi-directional data strobe (DQS)

? On-chip DLL

? Differential clock inputs (CLK and CLK )

? DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

? Quad bank operation

? CAS Latency : 2, 2.5, 3

? Burst Type : Sequential and Interleave

? Burst Length : 2, 4, 8

? All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

? Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

? DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

? Data mask (DM) for write masking only

? For 2.5V parts, VDD = 2.3V ~ 2.7V, VDDQ = 2.3V ~ 2.7V

? Auto & Self refresh

? 64ms refresh period, 4K cycle

? SSTL-2 I/O interface

? 66pin TSOPII and 60 ball BGA package

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    M13S64164A-6TG

  • 制造商:

    ESMT

  • 制造商全稱:

    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

  • 功能描述:

    1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ESMT
2016+
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