零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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Marking:LMG3616;Package:VQFN;LMG3616 650-V 270-mΩ GaN FET With Integrated Driver 1Features ?650-V270-mΩGaNpowerFET ?Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol ?OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting ?AUXquiescentcurrent:55μA ?Maximumsupplyandinputlogicpinvoltage:26V ?8mm×5.3mmQFNpac | TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI1 |
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