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LMG3616REQR

Marking:LMG3616;Package:VQFN;LMG3616 650-V 270-mΩ GaN FET With Integrated Driver

1Features ?650-V270-mΩGaNpowerFET ?Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol ?OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting ?AUXquiescentcurrent:55μA ?Maximumsupplyandinputlogicpinvoltage:26V ?8mm×5.3mmQFNpac

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

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