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Marking：LMG3614NNNNC；Package：VQFN；LMG3614 650V 170mΩ GaN FET With Integrated Driver 1Features ?650V170mΩGaNpowerFET ?Integratedgatedriverwithlowpropagationdelays andadjustableturn-onslew-ratecontrol ?OvertemperatureprotectionwithFLTpinreporting ?AUXquiescentcurrent:55μA ?Maximumsupplyandinputlogicpinvoltage:26V ?8mm×5.3mmQFNpackagew | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI |
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