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HighVoltageTransistors | LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司 | LRC | ||
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HighVoltageTransistorsRoHSrequirements. | LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司 | LRC | ||
NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages. | TGS Tiger Electronic Co.,Ltd | TGS | ||
NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司 | WINNERJOIN | ||
HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon | LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司 | LRC | ||
SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | AVICTEK Avic Technology | AVICTEK | ||
HighVoltageTransistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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