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MMBT5551LT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT5551LT1
廠商型號(hào)

MMBT5551LT1
參數(shù)屬性

MMBT5551LT1 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
功能描述

High Voltage Transistors(NPN Silicon)
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

165.54 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商

LRC
中文名稱

樂山無線電
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-7 18:28:00
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MMBT5551LT1規(guī)格書詳情

High Voltage Transistors

NPN Silicon

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBT5551LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    200mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
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