L6387ED集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
L6387ED |
| 參數(shù)屬性 | L6387ED 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| 功能描述 | High-voltage high and low side driver |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
207.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 19:07:00 |
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L6387ED屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的L6387ED柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
描述 Description
The L6387E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced N Channel Power MOS or IGBT. The high side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.
特性 Features
■ High voltage rail up to 600V
■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range
■ Driver current capability:
– 400mA source,
– 650mA sink
■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load
■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down
■ Internal bootstrap diode
■ Outputs in phase with inputs
■ Interlocking function
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
L6387ED
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 驅(qū)動(dòng)配置：
半橋
- 通道類型：
獨(dú)立式
- 柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
17V（最大）
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
1.5V，3.6V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
400mA，650mA
- 輸入類型：
反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
50ns，30ns
- 工作溫度：
-45°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
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