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L6386ED013TR集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
L6386ED013TR |
參數(shù)屬性 | L6386ED013TR 封裝/外殼為14-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO |
功能描述 | High-voltage high and low side driver |
封裝外殼 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
217.74 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-1 13:01:00 |
人工找貨 | L6386ED013TR價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
L6386ED013TR規(guī)格書詳情
L6386ED013TR屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的L6386ED013TR柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
描述 Description
The L6386E is an high-voltage device, manufactured with the BCD OFF-LINE technology. It has a Driver structure that enables to drive independent referenced Channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices.
特性 Features
■ High voltage rail up to 600V
■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range
■ Driver current capability:
– 400mA source,
– 650mA sink
■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load
■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down
■ Under voltage lock out on lower and upper driving section
■ Integrated bootstrap diode
■ Outputs in phase with inputs
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
L6386ED013TR
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 驅(qū)動配置:
半橋
- 通道類型:
獨立式
- 柵極類型:
IGBT,N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
17V(最大)
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
1.5V,3.6V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
400mA,650mA
- 輸入類型:
反相
- 上升/下降時間(典型值):
50ns,30ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
14-SO
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST |
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