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TK099E60Z1

Marking：K099E60Z1；Package：TO-220；MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications ?SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.083Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.93mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多K099E60Z1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 15:30:00

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