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JANTXV2N6351分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
JANTXV2N6351 |
| 參數(shù)屬性 | JANTXV2N6351 封裝/外殼為TO-205AC，TO-33-4 金屬罐；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 150V 5A TO33 |
| 功能描述 | NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-205AC，TO-33-4 金屬罐 |
| 文件大小 |
55.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-23 23:01:00 |
| 人工找貨 | JANTXV2N6351價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
JANTXV2N6351規(guī)格書詳情
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/472
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
JANTXV2N6351
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/472
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 10mA，5A
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，5V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AC，TO-33-4 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-33
- 描述：
TRANS NPN DARL 150V 5A TO33
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MROSEMI/美高森美 |
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