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JANTXV2N6301分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
JANTXV2N6301 |
| 參數(shù)屬性 | JANTXV2N6301 封裝/外殼為TO-213AA，TO-66-2；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 80V 8A TO66 |
| 功能描述 | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 文件大小 |
64.25 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找貨 | JANTXV2N6301價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
JANTXV2N6301
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/539
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 80mA，8A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 4A，3V
- 工作溫度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-213AA，TO-66-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-66
- 描述：
TRANS PNP DARL 80V 8A TO66
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MROSEMI/美高森美 |
24+ |
NA/ |
76 |
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詢價(jià) | ||
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詢價(jià) | ||
Microchip Technology |
25+ |
TO-213AA TO-66-2 |
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MICROSEMI/美高森美 |
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MOT |
24+ |
TO-66 |
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詢價(jià) | |||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-66 |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-66 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
