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IXYR50N120C3D1分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXYR50N120C3D1
廠商型號

IXYR50N120C3D1

參數屬性

IXYR50N120C3D1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247

功能描述

1200V XPTTM IGBT GenX3TM w/ Diode
IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

197.97 Kbytes

頁面數量

7

生產廠商

IXYS

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更新時間

2025-8-6 18:16:00

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IXYR50N120C3D1規(guī)格書詳情

IXYR50N120C3D1屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXYR50N120C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

特性 Features

? Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

? Isolated Mounting Surface

? 2500V~ Electrical Isolation

? Optimized for Low Switching Losses

? Square RBSOA

? Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

? Anti-Parallel Ultra Fast Diode

? High Current Handling Capability

? International Standard Package

Advantages

? High Power Density

? Low Gate Drive Requirement

Applications

? High Frequency Power Inverters

? UPS

? Motor Drives

? SMPS

? PFC Circuits

? Battery Chargers

? Welding Machines

? Lamp Ballasts

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXYR50N120C3D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?, XPT?

  • 包裝:

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    4V @ 15V,50A

  • 開關能量:

    3mJ(開),1mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    28ns/133ns

  • 測試條件:

    600V,50A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    ISOPLUS247?

  • 描述:

    IGBT 1200V 56A 290W ISOPLUS247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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