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IXYP20N65C3D1M分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IXYP20N65C3D1M |
參數屬性 | IXYP20N65C3D1M 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 650V 18A 50W TO220 |
功能描述 | Optimized for 20-60kHz Switching |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
193 Kbytes |
頁面數量 |
6 頁 |
生產廠商 | IXYS |
中文名稱 | 艾賽斯 |
網址 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-9-20 17:29:00 |
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IXYP20N65C3D1M規(guī)格書詳情
IXYP20N65C3D1M屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產的IXYP20N65C3D1M晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
IXYP20N65C3D1M
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
GenX3?, XPT?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,20A
- 開關能量:
430μJ(開),350μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
19ns/80ns
- 測試條件:
400V,20A,20 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 650V 18A 50W TO220
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原廠渠道,現貨配單 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
TO220AB |
9000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-220AB |
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IXYS |
24+ |
NA |
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詢價 | ||
IXYS/Littelfuse |
23+ |
TO-220 |
15800 |
全新原裝正品現貨直銷 |
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