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IXYN150N60B3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXYN150N60B3
廠商型號

IXYN150N60B3

參數(shù)屬性

IXYN150N60B3 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT

功能描述

International Standard Package
IGBT

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

215.13 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
IXYS
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-4 19:00:00

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IXYN150N60B3規(guī)格書詳情

IXYN150N60B3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXYN150N60B3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXYN150N60B3

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    XPT?, GenX3?

  • 包裝:

    托盤

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,150A

  • 開關(guān)能量:

    4.2mJ(開),2.6mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    27ns/167ns

  • 測試條件:

    400V,75A,2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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