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IXYN120N65B3D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IXYN120N65B3D1 |
| 參數(shù)屬性 | IXYN120N65B3D1 封裝/外殼為SOT-227-4，miniBLOC；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI |
| 功能描述 | International Standard Package |
| 封裝外殼 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 文件大小 |
222.47 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-21 8:02:00 |
| 人工找貨 | IXYN120N65B3D1價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IXYN120N65B3D1規(guī)格書詳情
IXYN120N65B3D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXYN120N65B3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
IXYN120N65B3D1
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
GenX3?, XPT?
- 包裝：
卷帶（TR）
- IGBT 類型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，100A
- 開關(guān)能量：
1.34mJ（開），1.5mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
30ns/168ns
- 測試條件：
400V，50A，2 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-227B
- 描述：
IGBT MODULE DISC IGBT SOT-227UI
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
21+ |
SOT-227B |
1000 |
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
Module |
1262 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！ |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
IXYS |
22+ |
SOT227B |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
IXYS |
23+ |
SOT227B |
9000 |
原裝正品，支持實單 |
詢價 | ||
IXYS |
2022+ |
SOT-227B |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IXYS |
2405+ |
原廠封裝 |
5000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83273355鄒小姐 |
詢價 | ||
IXFN |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-3P |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 |
