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SIHU3N50DA

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SSFP3N50

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

STP3N50XI

N-CHANNELenhancementmodepowermostransistor

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=2.5? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

SVF3N50D

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

T3N50

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

U3N50

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VSSAF3N50

Surface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof0.95mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialcategorization:fordefinitionso

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VSSAF3N50

Idealforautomatedplacement

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXTY3N50P

  • 功能描述：

    MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IXTY3N50P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 9:07:00

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