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PHP3N50E

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP3N50Eissupplied

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHX3N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PHX3N50E

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHX3N50Eissupplied

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

RFM3N50

3A,450Vand500V,3Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These

Intersil

Intersil Corporation

RFP3N50

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

RFP3N50

3A,450Vand500V,3Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.These

Intersil

Intersil Corporation

SIHD3N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHD3N50D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHU3N50D

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHU3N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTY3N50P

  • 功能描述：

    MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
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更多IXTY3N50P供應商 更新時間2025-7-26 9:03:00

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