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MDP7N60TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MGP7N60E

InsulatedGateBipolarTransistor

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MGP7N60E

InsulatedGateBipolarTransistor

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MGP7N60ED

InsulatedGateBipolarTransistorwithrAnti-ParallelDiode

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packaged withasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringboth

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MS7N60

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MSF7N60

600VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTN7N60BFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTN7N60FP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTP7N60

N-ChannelMosfetTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

NJ7N60

7.4A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTP7N60P

  • 功能描述：

    MOSFET 1.1 Ohms Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220
247
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IXYS
17+
TO-220
6200
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TO-220-3
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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23+
TO-220
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原裝正品，支持實單
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更多IXTP7N60P供應(yīng)商 更新時間2025-7-23 10:03:00

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