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JCS7N60F-O-F-N-B

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS7N60S-O-S-N-B

N-CHANNELMOSFET

APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

KF7N60F

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactor correctionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KF7N60P

NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactor correctionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=600V,

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KF7N60P

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES ?LowgatechargeQgresultsinsimpledriverequirement ?Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dtruggedness ?Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltageandcurrent APPLICATIONS ?Switchmodepowersupply(SMPS) ?Uninterruptiblepowersupply ?Highspeedpowerswit

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

KSM7N60

600VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSM7N60NZ

N-ChannelUniFETllMOSFET600V,6.5A,1.25

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMB7N60

Greendeviceavailable.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMD7N60

Excellentpackageforgoodheatdissipation.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMF7N60

Lowgatecharge.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細參數

  • 型號：

    IXTP7N60P

  • 功能描述：

    MOSFET 1.1 Ohms Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220
247
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IXYS
17+
TO-220
6200
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TO-220
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更多IXTP7N60P供應商 更新時間2025-7-25 13:31:00

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