IXTP3N60P中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號:
IXTP3N60P
- 功能描述:
MOSFET 3 Amps 600V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
5000 |
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詢價 | ||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
226570 |
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詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
2407+ |
TO-220 |
30098 |
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IXYS/艾賽斯 |
23+ |
220 |
10000 |
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詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
8866 |
詢價 | |||
I |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
ADI |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ADI |
23+ |
N/A |
7000 |
詢價 | |||
IXYS/艾賽斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
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IXYS |
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