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IXTP3N110中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

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廠商型號(hào)

IXTP3N110

功能描述

High Voltage Power MOSFETs

文件大小

102.19 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-22 18:11:00

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IXTP3N110規(guī)格書詳情

特性 Features

● International standard packages

● Low RDS (on)

● Rated for unclamped Inductive load Switching (UIS)

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IXTP3N110

  • 功能描述:

    MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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