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IXTH6N90中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTH6N90
廠商型號

IXTH6N90

功能描述

Standard Power MOSFET

文件大小

104.91 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-6 18:28:00

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IXTH6N90規(guī)格書詳情

Standard Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

? International standard packages

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low package inductance (< 5 nH) - easy to drive and to protect

? Fast switching times

Applications

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

? Motor controls

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? DC choppers

Advantages

? Easy to mount with 1 screw (TO-247) (isolated mounting screw hole)

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTH6N90

  • 功能描述:

    MOSFET 6 Amps 900V 1.8 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
93+
TO
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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