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IXTH67N10中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTH67N10
廠商型號

IXTH67N10

功能描述

MegaMOS FET

文件大小

53.34 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

IXYS

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-6 19:29:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTH67N10

  • 功能描述:

    MOSFET 67 Amps 100V 0.025 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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23+
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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